FTIR-Ellipsometer IR-VASE

Von Woollam Co.

IR-VASE ist das erste und einzige spektroskopische Ellipsometer, das einen spektralen Bereich von 1.7 - 30 µm (333 bis 5900 Wellenzahlen) abdeckt. Das IR-VASE erlaubt die genaue Bestimmung der optischen Konstanten n und k über den gesamten Spektralbereich, ohne dass die Daten außerhalb des Meßbereichs mit einer Kramers-Kronig-Analyse extrapoliert werden müssen. Wie die anderen Ellipsometer von Woollam eignet sich das IR-VASE optimal für dünne Schichten oder Materialien wie Dielektrika, Halbleiter, Polymere und Metalle.

Eigenschaften
  • "Rotating Compensator" Ellipsometer
  • Größter Spektralbereich
  • Vertikale Probenhalterung
  • Kombiniert Ellipsometrie und Transmission

Weitere Informationen

Zerstörungsfreie Charakterisierung

Das IR-VASE ermöglicht die berührungslose Bestimmung von Materialeigenschaften wie Dicke, optische Konstanten, Materialzusammensetzung, chemische Bindung, Dotierungskonzentration und vieles mehr. Die Messungen benötigen kein Vakuum und unterstützen die Analyse von flüssigen/festen Grenzflächen in biologischen und chemischen Anwendungen.

Weder Grundlinie noch Referenzprobe benötigt

Ellipsometrie ist eine Modulationstechnik, die weder Scans noch Referenzproben benötigt, um hochpräzise Ergebnisse zu liefern. Selbst Proben, die kleiner als der Strahldurchmesser sind, können analysiert werden, da nicht der gesamte Strahl eingefangen werden muss.

Höchste Genauigkeit

Patentierte Kalibrations- und Datenaufnahmemethoden gleichen die Effekte mangelhafter optischer Elemente aus und erlauben präzise Messungen von Ψ und Δ.

Spezifikationen

  • Spektralbereich: 1,7 µm bis 30 µm (weiter bei gut reflektierenden Proben)
  • Vertikale Probenhalterung
  • Motorisiertes Einfallswinkeleinheit: 32° bis 90°.
  • Ellipsometrie, Transmission und Reflexion, Müller-Matrix, verallgemeinerte Ellipsometrie, Depolarisation

Anwendungen

Epitaxialschichten, Dotierungskonzentration und Dotierungsprofile Bei Wellenlängen im Infrarot-Bereich können Unterschiede in der Menge freier Ladungsträger zu einem optischen Kontrast zwischen Epitaxialschichten bzw. implantierten Schichten führen. Dadurch erhält das IR-VASE hervorragende Empfindlichkeit für die Dicke von Epitaxialschichten und Substrat-Dotierungskonzentrationen. Das Ellipsometer bietet außerdem eine gute Empfindlichkeit gegenüber Trägergradienten an Grenzflächen. Trägerprofile zeigen eine fast perfekte Übereinstimmung beim Vergleich zerstörungsfreier IR-VASE und destruktiver SIMS-Messungen.
Phononstruktur (Verbindungshalbleiter)
Molekülbindung Vibrationen
Optische Beschichtungen
Multilayer characterization

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Spectroscopic ellipsometers product overview
IR-VASE Mark II brochure

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Thomas Wagner
Thomas Wagner

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