Correlative Raman Imaging per l’Analisi dei Semiconduttori Composti

La Microscopia Raman Confocale consente un’analisi dettagliata e non distruttiva dei semiconduttori, rivelando proprietà fondamentali come cristallinità, tensione, stress e drogaggio. Se combinata con la fotoluminescenza (PL), fornisce ulteriori informazioni sul bandgap del materiale, risultando particolarmente utile per i semiconduttori composti, caratterizzati da strutture complesse e multistrato.

La spettroscopia Raman sfrutta la diffusione anelastica della luce per identificare la composizione molecolare di un materiale attraverso uno spettro unico, come una "firma chimica". L'Imaging Raman, integrando un microscopio confocale con uno spettrometro, permette di ottenere immagini ad alta risoluzione che mostrano la distribuzione dei composti all'interno di un campione.

Questa tecnica è essenziale per la caratterizzazione dei semiconduttori utilizzati in dispositivi come LED, laser, celle solari e circuiti integrati. Può individuare difetti nei cristalli, variazioni di stress e alterazioni strutturali o chimiche, supportando il controllo qualità nella produzione di wafer di carburo di silicio (SiC) e altri materiali avanzati.

Questa Application Note esplora nel dettaglio l’uso della microscopia Raman nella caratterizzazione dei semiconduttori, dimostrando il valore della strumentazione WITec per ottenere immagini ad alta sensibilità e risoluzione.