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Kompaktes theta-SE für schnelles Probenmapping

Das theta-SE ist ein spektroskopisches Ellipsometer für Knopfdruck-Bedienung zur Homogenitäts-Charakterisierung von Dünnschichten. Es bietet fortschrittliche Ellipsometrie-Technologie in einem ...


In-situ spektroskopisches Ellipsometer iSE

Das iSE ist ein neues spektroskopisches in-situ Ellipsometer, das für die Echtzeit-Überwachung von Dünnschichtwachstum entwickelt wurde. Mit unserer bewährten Technologie ermöglicht das iSE den ...


Schnelles spektroskopisches Ellipsometer M-2000

Das M-2000 Ellipsometer kombiniert als erstes System die 'rotating compensator'-Methode mit der CCD-Technologie. Damit ist eine sehr hohe Meßgeschwindigkeit möglich: mindestens 390 Wellenlängen in < 1 ...


Dual Rotating Compensator Ellipsometer RC2

Das RC2 ist das erste spektroskopische Ellipsometer mit zwei rotierenden Kompensatoren. Es verbindet die besten Eigenschaften der Vorgängermodelle mit innovativen Technologien: zwei rotierende ...


Kostengünstiges präzises Tischgerät alpha 2.0

Das spektroskopische Ellipsometer alpha 2.0 ist ein schnelles, preiswertes System zur Bestimmung von Schichtdicken und optischen Konstanten. Das Gesamtsystem ist beeindruckend klein und kompakt ohne ...


Spektroskopisches Ellipsometer VASE

Das VASE ist unser genaustes und vielseitigstes Ellipsometer für die Untersuchung an allen Arten von Materialien: Halbleiter, Dielektrika, Polymere, Metalle, Multi-Schichten und mehr.


Spektroskopisches Ellipsometer VUV-VASE

Das VUV-VASE Variable Angle Spektroskopische Ellipsometer ist der Standard für die optische Charakterisierung von Materialien, die in Lithographieanwendungen verwendet werden. Der Messbereich reicht ...


FTIR-Ellipsometer IR-VASE

IR-VASE ist das erste und einzige spektroskopische Ellipsometer, das einen spektralen Bereich von 1.7 - 30 µm (333 bis 5900 Wellenzahlen) abdeckt. Das IR-VASE erlaubt die genaue Bestimmung der ...


Spektroskopisches Ellipsometer T-Solar

T-Solar, ein intensitätsoptimiertes M-2000-Ellipsometer, ist speziell auf die Anforderungen bei der Messung texturierter Si-Wafer-Oberflächen ausgerichtet.

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